Home N en F Radioexamen Low-noise amplifier voor zwakke radiosignalen

Low-noise amplifier voor zwakke radiosignalen

Technische printplaat met een low-noise amplifier die zwakke radiosignalen van een antenne versterkt.
Een LNA versterkt zwakke antennesignalen terwijl de toevoeging van eigen ruis zo klein mogelijk blijft.

Een low-noise amplifier, meestal afgekort tot LNA, versterkt uiterst zwakke radiosignalen zonder daar veel eigen ruis aan toe te voegen. Hij staat daarom zo dicht mogelijk bij de antenne. Zijn kwaliteit hangt niet alleen af van versterking, maar ook van ruis, lineariteit, stabiliteit, impedantieaanpassing en bandbreedte. Juist de eerste versterkertrap bepaalt vaak hoe gevoelig de hele ontvanger wordt.

Waarom de eerste versterkertrap zoveel invloed heeft

Een ontvangen radiosignaal kan bij aankomst nauwelijks boven de natuurlijke en elektronische ruis uitsteken. De LNA tilt dat kleine verschil op tot een niveau waarmee een mixer, ontvangerchip of analoog-digitaalomzetter verder kan werken. Daarbij worden het signaal en de al aanwezige ruis beide versterkt. De kunst is dus niet om ruis weg te poetsen, want verdwenen informatie keert niet terug, maar om tijdens de eerste versterking zo weinig mogelijk nieuwe ruis toe te voegen.

De plaats van de LNA in de ontvangstketen is minstens zo belangrijk als zijn specificaties. Een kabel, schakelaar of filter vóór de versterker verzwakt eerst het gewenste signaal en voegt bij normale temperatuur eigen thermische ruis toe. Een kabelverlies van 1 dB vóór de LNA maakt het systeemruisgetal daardoor grofweg 1 dB slechter. Staat dezelfde kabel achter een goede eerste versterkertrap, dan weegt zijn ruisbijdrage veel minder zwaar.

Het principe van Friis

De door Harald Friis beschreven cascaderegel laat zien waarom de eerste trap zoveel gewicht heeft. De ruisbijdrage van iedere volgende trap wordt gedeeld door de versterking van alles wat ervoor staat. Een stille eerste versterker met voldoende versterking drukt daardoor de invloed van mixer, middenfrequentversterker en andere elektronica terug. Veel versterking is echter niet onbeperkt gunstig, omdat sterke signalen verderop vervorming of oversturing kunnen veroorzaken.

Voor een ontvangerontwerp telt daarom de volledige keten. Een LNA met een fraai laag ruisgetal kan teleurstellen wanneer er vóór de ingang een lange coaxkabel ligt, de antenne slecht is aangepast of een beveiligingsschakeling veel verlies veroorzaakt. Andersom kan een iets minder stille versterker in de mast beter presteren dan een uitstekende LNA beneden in de shack. De systeemopstelling wint het geregeld van het mooiste getal op een gegevensblad.

Wat ruisgetal en ruistemperatuur werkelijk zeggen

Het ruisgetal beschrijft hoeveel de verhouding tussen signaal en ruis door een component verslechtert. Bij een ruisgetal van 1 dB is de verhouding aan de uitgang 1 dB ongunstiger dan aan de ingang, nadat rekening is gehouden met de versterking. Het getal zegt dus niet hoeveel ruis er absoluut aan de uitgang staat. Een hoge uitgangsruis kan eenvoudig het gevolg zijn van veel versterking van een keurige, ruisarme ingang.

Bij zeer stille ontvangers gebruiken technici vaak de equivalente ruistemperatuur. Daarmee wordt de extra ruis voorgesteld als de thermische ruis van een denkbeeldige weerstand met een bepaalde temperatuur. Rond kamertemperatuur worden ruisgetal en ruistemperatuur doorgaans gekoppeld aan een referentie van ongeveer 290 kelvin. In radioastronomie en cryogene elektronica is een waarde in kelvin vaak inzichtelijker, omdat verschillen van enkele kelvin daar meer zeggen dan kleine fracties van een decibel.

Waar de ruis vandaan komt

Thermische ruis ontstaat door de willekeurige beweging van ladingsdragers en neemt toe met temperatuur en meetbandbreedte. Weerstanden, spoelverliezen, printsporen en kabels leveren er allemaal een bijdrage aan. Een smallere ontvangstband bevat minder geïntegreerde ruis, maar een filter kan geen informatie redden die al onder de ruisvloer verdwenen is. De juiste bandbreedte laat daarom alleen het benodigde spectrum door en houdt onnodige ruis buiten de meting.

Halfgeleiders voegen daarnaast schotruis en laagfrequente flikkerruis toe. Schotruis hangt samen met de afzonderlijke passage van ladingsdragers door overgangen, terwijl flikkerruis sterker wordt naarmate de frequentie daalt. Op microgolffrequenties overheerst flikkerruis meestal niet rechtstreeks, maar mengprocessen kunnen haar wel dicht bij een draaggolf brengen. Ook voeding, spanningsregelaars, digitale schakelingen en aardlussen kunnen de rustige ingang van een LNA ongemerkt vervuilen.

Een aanpassingsnetwerk is evenmin automatisch ruisvrij. Ideale spoelen en condensatoren bestaan alleen in het rekenmodel; echte onderdelen hebben weerstand, diëlektrische verliezen en parasitaire eigenschappen. Vooral vóór de actieve transistor telt ieder tiende deel van een decibel verlies. Een eenvoudige aanpassing met hoogwaardige onderdelen kan daarom een betere ontvangst opleveren dan een ingewikkeld netwerk dat op papier een perfecte aansluiting van 50 ohm geeft.

Waarom een LNA altijd een compromis blijft

Een transistor heeft doorgaans niet dezelfde bronimpedantie voor de laagste ruis en voor de hoogste vermogensversterking. Ook een keurige aansluiting van 50 ohm valt niet vanzelf samen met het ruisoptimum. De ontwerper kiest op de Smithkaart een werkpunt dat ruisgetal, versterking, ingangsmatching en stabiliteit met elkaar verzoent. Wie uitsluitend op één minimum jaagt, kan eindigen met een versterker die lastig aansluit, weinig marge heeft of buiten de werkband begint te oscilleren.

Een ingangsmatching van min 10 dB betekent dat ongeveer tien procent van het invallende vermogen wordt teruggekaatst. Voor veel systemen is dat bruikbaar, ook al oogt min 20 dB netter op het scherm. Een diepere aanpassing is alleen winst wanneer zij geen extra verlies, smallere band of hoger ruisgetal veroorzaakt. De beste meetwaarde is dus niet altijd de beste ontvanger, een nuchtere waarheid die menig middag met de soldeerbout kan besparen.

Lineariteit en sterke buren

Een LNA ziet zelden alleen het zwakke station waarop de ontvanger is afgestemd. Nabije omroepzenders, mobiele netwerken, radar en eigen zendapparatuur kunnen aan de ingang vele malen sterker zijn. Zodra de transistor niet meer lineair werkt, ontstaan mengproducten op frequenties waar helemaal geen zender actief is. Het compressiepunt en het derdeorde-intercept geven daarom aan hoeveel signaalruimte de versterker heeft voordat vervorming de ontvangst aantast.

Meer ruststroom kan de lineariteit verbeteren en soms ook het ruisgedrag gunstig beïnvloeden, maar verhoogt het energieverbruik en de warmteproductie. Meer versterking helpt de ruisbijdrage van latere trappen onderdrukken, terwijl diezelfde versterking de mixer of omzetter eerder kan overbelasten. Voor een drukke radio-omgeving is een bescheiden, goed gefilterde LNA vaak bruikbaarder dan een zeer krachtige breedbandversterker. Gevoeligheid zonder selectiviteit kan de ontvanger juist doof maken.

Stabiliteit buiten de ontvangstband

Een LNA hoort te versterken, niet als onbedoelde oscillator een eigen signaal te produceren. Terugkoppeling via de transistor, printbaan, voeding of behuizing kan bij bepaalde bron- en belastingsimpedanties toch oscillatie veroorzaken. De stabiliteitscriteria van Rollett en latere maten zoals mu helpen beoordelen of een tweepoort voor alle passieve aansluitingen stabiel blijft. Zo’n controle moet veel ruimer worden uitgevoerd dan alleen over de opgegeven ontvangstband.

Problemen kunnen juist ontstaan bij lage frequenties in het voedingsnetwerk of ver boven de werkband door parasitaire resonanties. Temperatuur, voedingsspanning en productieverschillen verschuiven die risicogebieden. Een kleine serieweerstand, lokale tegenkoppeling of een verliesarm stabilisatienetwerk kan voldoende marge geven, maar kost soms versterking of ruisprestatie. Stabiliseren vraagt daarom om het kleinste middel dat onder alle realistische omstandigheden werkt.

Welke schakelingen worden gebruikt

Eenvoudige trap en cascode

De common-source-schakeling met een veldeffecttransistor en de common-emittervariant met een bipolaire transistor gebruiken weinig actieve onderdelen. Dat kan gunstig zijn voor de eigen ruis, maar de koppeling tussen uitgang en ingang is niet altijd klein. Een cascode plaatst een tweede transistor boven de eerste en vermindert die terugwerking. Daardoor nemen de versterking en scheiding vaak toe, al vragen de extra transistor en benodigde voedingsruimte opnieuw om een zorgvuldige afweging.

Bij inductieve source- of emitterdegeneratie staat een kleine inductantie in het gemeenschappelijke aansluitpad van de transistor. Die kan de reële ingangsimpedantie verhogen en de optimale ruisaanpassing dichter bij een praktische ingang brengen. De spoel zelf moet wel weinig verlies hebben, anders wordt de behaalde winst weer ingeleverd. Op een geïntegreerde schakeling telt bovendien de oppervlakte van zo’n spoel zwaar mee, zeker wanneer meerdere trappen nodig zijn.

Tegenkoppeling, neutralisatie en breedbandontwerp

Weerstandstegenkoppeling maakt de versterking vlakker en kan de ingang over een brede band beter beheersbaar maken. Daar staat tegenover dat de weerstand thermische ruis veroorzaakt en beschikbare versterking verbruikt. Neutralisatie compenseert een ongewenste capacitieve koppeling tussen uitgang en ingang met een tegengestelde koppeling. Vooral bij hoge microgolffrequenties kan dat veel opleveren, maar kleine afwijkingen in afmetingen of componentwaarden hebben dan ook sneller merkbare gevolgen.

Differentiële schakelingen onderdrukken storingen die op beide signaalhelften gelijk aanwezig zijn en passen goed bij transformatoren en geïntegreerde ontvangers. Gedistribueerde versterkers verdelen transistoren over transmissielijnen en bereiken daarmee een grote bandbreedte. Hun prijs bestaat meestal uit meer chipoppervlak, stroomverbruik en ruis. Geen topologie is dus universeel de beste; frequentiegebied, bronimpedantie, gewenste bandbreedte en beschikbare voeding bepalen welke aanpak logisch is.

Welke halfgeleidertechnologie past bij de toepassing

De namen BJT, MOSFET en HEMT beschrijven transistorfamilies, terwijl silicium-germanium, galliumarsenide, galliumnitride en indiumfosfide materiaal- of procestechnologieën aanduiden. Die indelingen lopen door elkaar: een GaAs-pHEMT is tegelijk een HEMT en een schakeling op basis van galliumarsenide. Het is daarom misleidend om materiaal en transistoropbouw als concurrerende categorieën naast elkaar te zetten. De uiteindelijke keuze hangt evenzeer af van integratie, vermogen, temperatuur en kosten als van frequentie.

  • BJT en SiGe-BiCMOS combineren lage ruis en hoge versterking bij VHF en microgolven. Bias en thermisch gedrag vragen wel aandacht.
  • CMOS laat zich goed samenbouwen met mixers, omzetters en digitale verwerking. Flikkerruis en verliezen in geïntegreerde passieve onderdelen kunnen tegenwerken.
  • GaAs-pHEMT biedt lage ruis en een hoge bruikbare frequentie. De techniek wordt veel toegepast in satellietontvangst, radar en microgolfmodules.
  • InP-HEMT bereikt zeer lage ruis bij hoge frequenties en cryogene temperatuur. De techniek is kostbaar en vooral bestemd voor specialistische meetontvangers.
  • GaN-HEMT verdraagt krachtige ingangssignalen en past bij robuuste front-ends. Het materiaal levert niet vanzelf het laagste ruisgetal.

Op lage frequenties kunnen bipolaire transistoren en JFET’s aantrekkelijk zijn door hun gunstige laagfrequente ruisgedrag. Van UHF tot enkele tientallen gigahertz bieden SiGe, CMOS en GaAs ieder bruikbare oplossingen, afhankelijk van de gekozen fabricagetechniek. Richting millimetergolven worden parasitaire effecten steeds bepalender en zijn geavanceerd CMOS, SiGe, GaAs en InP gangbaar. GaN komt vooral tot zijn recht wanneer belastbaarheid en dynamisch bereik zwaarder wegen dan het allerlaagste ruisniveau.

Waarom de printplaat deel van de versterker is

Bij radiofrequenties is een printspoor niet alleen een draad. Het gedraagt zich als een transmissielijn met verdeelde inductantie en capaciteit, terwijl iedere via, soldeerverbinding en componentbehuizing extra parasitaire eigenschappen toevoegt. Vanaf enkele gigahertz kan een millimeter verschil de aanpassing al merkbaar veranderen. Bij tientallen gigahertz moeten connectorovergangen, behuizing en printstructuur daarom samen met het eigenlijke circuit elektromagnetisch worden gemodelleerd.

Een kort en breed aardpad voorkomt dat de source of emitter ongewenst door een kleine inductantie wordt opgetild. Meerdere aardvia’s rond het component verlagen de impedantie en voeren warmte af. Ook de keuze tussen microstrip en geaarde coplanaire golfgeleider hangt af van de printopbouw, de gewenste afscherming en de aansluiting op connectoren. Een universele spoorbreedte voor 50 ohm bestaat niet, omdat substraatdikte en materiaalgegevens de uitkomst bepalen.

Voeding en ontkoppeling

Het biasnetwerk moet gelijkspanning leveren zonder radiosignaal of voedingsruis door te laten. Een RF-smoorspoel en ontkoppelcondensatoren vormen samen echter een resonant netwerk, geen verzameling ideale onderdelen. Veel condensatoren parallel plaatsen kan ongewenste antiresonanties veroorzaken, waarbij de voedingsimpedantie juist omhoogschiet. Modellen met werkelijke serie-inductantie en weerstand zijn daarom nodig om het gedrag over een ruime frequentieband te beoordelen.

Ook inschakelen en uitschakelen verdienen aandacht. Sommige depletion-mode-transistoren hebben eerst een negatieve gatespanning nodig voordat de drainvoeding mag opkomen, anders kan een te grote stroom lopen. Temperatuur verandert zowel het gewenste biaspunt als de hoogfrequente eigenschappen. Een actieve biasregeling verbetert de herhaalbaarheid, maar voegt schakelingen en mogelijke storingspaden toe; een eenvoudige zelfbias is rustiger, al kost zij vaak wat voedingsruimte en versterking.

Hoe ontwerp en meting elkaar controleren

Van transistormodel naar elektromagnetisch model

S-parameters beschrijven hoe kleine hoogfrequente signalen aan de poorten worden doorgelaten en gereflecteerd. Voor een ruisontwerp zijn daarnaast het minimale ruisgetal, de optimale bronimpedantie en de equivalente ruisweerstand nodig. Een bestand met alleen S-parameters bevat die gegevens niet automatisch. Voor compressie en intermodulatie is bovendien een niet-lineair model nodig dat geldig is bij de gekozen voedingsspanning, stroom en temperatuur.

De schakeling wordt eerst als elektrisch netwerk berekend, waarna printbanen, vias, pads en behuizing in een elektromagnetisch model terechtkomen. Beide modellen worden vervolgens samen doorgerekend. Zo wordt zichtbaar dat een theoretisch onschuldige voedingslijn als resonator kan werken of dat een connectorovergang de ingangsmatching bederft. Bij millimetergolven is deze gezamenlijke berekening onderdeel van het ontwerp zelf, niet alleen een controle vlak voor productie.

Meten met een netwerkanalysator

Een vectornetwerkanalysator meet de vier gebruikelijke S-parameters. Daaruit volgen voorwaartse versterking, ingangs- en uitgangsreflectie en terugwaartse isolatie. Een kalibratie met coaxiale standaarden is praktisch wanneer het referentievlak bij de connector ligt; op een printplaat kan een TRL-kalibratie dichter bij de LNA nauwkeuriger zijn. De-embedding verwijdert vervolgens de gemeten of berekende invloed van kabels, connectoren en testbanen uit het resultaat.

Een ruisgetalmeting vergelijkt bekende ruisniveaus aan de ingang met het gemeten uitgangsvermogen. Bij de klassieke Y-factormethode schakelt een gekarakteriseerde ruisbron tussen een warme en een koude toestand. Kabelverlies tussen bron en LNA, de werkelijke omgevingstemperatuur en de versterking van de meetketen moeten in de berekening worden verwerkt. Voor cryogene versterkers is dat extra lastig, omdat zelfs de temperatuurverdeling over een coaxkabel de uitkomst beïnvloedt.

Testen op vervorming en oscillatie

Met een tweetoonsmeting worden twee nabije signalen aangeboden en verschijnen eventuele derdeordeproducten rond die tonen. Hun groei maakt een schatting van het derdeorde-intercept mogelijk. Het 1 dB-compressiepunt wordt bepaald door het ingangsniveau te verhogen totdat de werkelijke versterking 1 dB achterblijft bij het lineaire verloop. Zulke proeven laten zien of een LNA in een druk spectrum bruikbaar blijft, ook wanneer het ruisgetal op zichzelf uitstekend is.

Een betrouwbaar prototype wordt niet slechts op één frequentie en bij kamertemperatuur bekeken. De stabiliteit hoort te worden gecontroleerd met verschillende bron- en belastingsimpedanties, voedingsspanningen en temperaturen, ruim buiten de bedoelde band. Meerdere printplaten maken productievariatie zichtbaar. Pas wanneer simulatie, kleine-signaalmeting, ruismeting en vervormingsproef hetzelfde verhaal vertellen, is er reden om de specificatie van het complete ontwerp te vertrouwen.

Toepassingen van amateurstation tot quantumcomputer

Zwakke radiosignalen bij de antenne

Voor zendamateurs kan een LNA veel opleveren bij VHF, UHF en hogere banden, vooral bij satellietverbindingen, maanreflectie en ontvangst met een lange voedingslijn. Plaatsing vlak bij de antenne voorkomt dat kabelverlies het systeemruisgetal eerst verslechtert. Een relais of andere omschakeling moet de versterker tijdens zenden betrouwbaar omzeilen en beschermen. Zonder goede filtering kan een sterke nabije zender de versterker alsnog overbelasten, ook wanneer die buiten de afgestemde ontvangstfrequentie ligt.

Op de kortegolfbanden is een extra LNA lang niet altijd nodig. De atmosferische en door mensen veroorzaakte ruis aan de antenne ligt daar vaak al boven de eigen ruis van een moderne ontvanger. Extra versterking verhoogt dan vooral het risico op intermodulatie en vermindert de bruikbare signaalruimte. Eerst meten of de ontvangergevoeligheid werkelijk de beperkende factor is, voorkomt dat een technisch nette toevoeging de praktijk slechter maakt.

Wetenschap onder zeer koude omstandigheden

Radioastronomie gebruikt gekoelde HEMT-versterkers om zwakke kosmische signalen te meten. Koeling vermindert thermische ruis en verandert tegelijk het gedrag van transistoren en passieve onderdelen, waardoor een ontwerp voor kamertemperatuur niet zonder meer geschikt is. Ook in de uitleesketen van supergeleidende quantumprocessoren zijn stille versterkers nodig. Daar tellen naast ruistemperatuur en versterking ook energieverbruik, afmetingen en het aantal voedingsdraden zwaar mee.

Een GaAs-pHEMT-ontwerp dat in 2024 als prepublicatie verscheen en in 2026 werd herzien, rapporteerde bij 3,6 kelvin ongeveer 40 dB gemiddelde versterking en een equivalente ruistemperatuur van 5 kelvin in de C-band. Een SiGe-BiCMOS-prepublicatie uit 2026 meldde over 12 tot 18 GHz gemiddeld ongeveer 14 kelvin, een piekversterking van 28 dB en een verbruik van 0,74 milliwatt. Het zijn gerapporteerde onderzoeksresultaten, geen algemene garanties voor andere chips of meetopstellingen.

Een LNA verstandig kiezen en toepassen

De selectie begint met het systeem, niet met het laagste ruisgetal in een catalogus. Frequentieband, kabelverlies, antenneruis, gewenste versterking, sterkste verwachte stoorsignaal, voedingsspanning en temperatuur horen vooraf vast te staan. Daarna volgen ingangsmatching, uitgangsmatching, stabiliteitsmarge, compressiepunt en derdeorde-intercept. Een onderdeel waarvan de ruis alleen op één gunstige frequentie is vermeld, biedt onvoldoende basis voor een breedbandontwerp.

Een intern op 50 ohm aangepaste geïntegreerde LNA is voor een eerste ontwerp vaak praktisch. De kans op een werkend prototype is groter en de printplaat blijft overzichtelijk, terwijl er nog genoeg valt te meten aan voeding, aarding, filtering en connectoren. Een volledig discrete transistortrap geeft meer vrijheid om ruis en versterking rond een gekozen bronimpedantie te optimaliseren. Die vrijheid vraagt wel betrouwbare ruismodellen en een zorgvuldig opgebouwde meetomgeving.

De eindbeoordeling hoort op systeemniveau plaats te vinden. Meet eerst het ontvangstsysteem zonder LNA, voeg de versterker daarna toe en vergelijk gevoeligheid, dynamisch bereik en gedrag bij sterke signalen. Controleer eveneens of een voorfilter noodzakelijk is en hoeveel verlies dat toevoegt. Een goede LNA maakt het zwakke signaal beter bruikbaar zonder van de rest van de ontvanger een vervormingsgenerator te maken.

Conclusie

Een LNA vergroot niet alleen een klein radiosignaal, maar bepaalt mede hoeveel informatie de rest van de ontvanger nog kan terugvinden. De eerste trap verdient daarom de laagste ruis en voldoende versterking, terwijl verlies vóór die trap tot een minimum beperkt blijft. Impedantieaanpassing, lineariteit en stabiliteit stellen tegelijk grenzen aan wat haalbaar is. Het beste ontwerp is het evenwicht dat binnen de werkelijke ontvangstomgeving standhoudt.

Dat evenwicht wordt pas zichtbaar wanneer transistor, voeding, printplaat, connectoren, antenne of filter en meetopstelling als één geheel worden beschouwd. Vooral bij hoge frequenties en zeer lage temperaturen vervaagt de grens tussen schakeling en mechanische opbouw. Een lage waarde op één meetpunt is dan minder overtuigend dan reproduceerbaar gedrag over band, temperatuur en belasting. De bruikbare LNA is uiteindelijk niet de stilste op papier, maar de versterker die het hele ontvangstsysteem aantoonbaar verbetert.

Laatst bijgewerkt op 10 september 2026

Bronnen en meer informatie

  1. Friis, Harald T. (1944). Noise Figures of Radio Receivers. Proceedings of the IRE, 32(7), 419-422. DOI 10.1109/JRPROC.1944.232049.
  2. Rollett, John M. (1962). Stability and Power-Gain Invariants of Linear Twoports. IRE Transactions on Circuit Theory, 9(1), 29-32. DOI 10.1109/TCT.1962.1086854.
  3. Shaeffer, Derek K. en Lee, Thomas H. (1997). A 1.5-V, 1.5-GHz CMOS Low Noise Amplifier. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 32(5), 745-759. DOI 10.1109/4.568846.
  4. Gonzalez, Guillermo (1997). Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design. Tweede editie. Prentice Hall. ISBN 978-0-13-254335-4.
  5. Pozar, David M. (2011). Microwave Engineering. Vierde editie. John Wiley & Sons. ISBN 978-0-470-63155-3.
  6. Razavi, Behzad (2012). RF Microelectronics. Tweede editie. Prentice Hall. ISBN 978-0-13-713473-1.
  7. arXiv: A C-Band Cryogenic GaAs MMIC Low-Noise Amplifier for Quantum Applications
  8. arXiv: A 0.74-mW Ku-band Cryogenic SiGe LNA in 130-nm BiCMOS with 14-K Noise Temperature for Scalable Quantum Readout

LAAT EEN REACTIE ACHTER

Vul alstublieft uw commentaar in!
Vul hier uw naam in